国产闪存芯片发力，长江存储推出全新3D NAND架构Xtacking

  【天极网DIY硬件频道】对于闪存芯片行业，持续被三星，镁光，东芝等厂商垄断。在中国，长江存储是中国第一家进军NAND闪存的企业，今日，长江存储公开发布其突破性技术——Xtacking。该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。目前长江存储已将该技术应用于到第二代3D NAND产品的开发，预计2019年进入量产阶段。

  据了解，采用Xtacking，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。

  存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

  Xtacking技术将为NAND闪存带来前所未有的超高传输速率，同时最大化其内存阵列的密度。长江存储表示，其64层3D NAND芯片的I/O接口速度为3 Gbps，比三星最新的V-NAND快两倍，比主流3D NAND快三倍。

  Xtacking技术将应用于智能手机、个人计算、数据中心和企业应用等领域，提供高性能、定制化NAND解决方案。