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3D闪存路线图曝光:2021年可望用上140层产品

2018-5-16 01:14    天极网硬件频道

  【天极网DIY硬件频道】固态硬盘的价格在2018年终于开始松动,部分产品的价格已经回落到2016年年中水平。除了产能惠生和市场需求放缓之外,3D NAND颗粒的大批量产也是价格回落的重要原因。

  自从3D-NAND诞生以来,它的堆叠层数就在不断的增加,三星第一代3D V-NAND只有24层,第二代就变成了32层,随后48层,到现在大批量生产的64层,而SK海力士则是72层,可以看到升级和变化相当之快。今年3D-NAND堆叠层数有望超过90层,然后是120层,2021年更是有140层的产品。

  国际存储研讨会2018(IMW 2018)中,应用材料公司Sean Kang介绍了未来几年3D-NAND的发展线路图,到了2021年,3D-NAND的堆叠层数会超过140层,而且每层的厚度也会不断变薄。

  在堆叠层数增加的时候,存储堆栈的高度也在增大,然而每层的厚度缺在缩小,以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm,层厚度大约70nm,48层的闪存堆栈厚度为3.5μm,层厚度减少到62nm,现在的64/72层闪存堆栈厚度大约4.5μm,每层厚度减少到60nm,没升级一次堆栈厚度都会变成原来的1.8倍,而层厚度会变成0.86倍。

  而闪存的Die Size也随着堆叠层数的增长而增长,在32层时代的时候是128Gbit,48层时256Gbit,64/72层是512Gbit,2019年的96层闪存应该会达到768Gbit,128层应该会有1024Gbit的Die Size,达到144层时就不清楚会有多大了,肯定会大于等于1024Gbit。

  现在各家厂商都在3D NAND上加大力度研发,尽可能提升自己闪存的存储密度,此前东芝与西数就宣布计划在今年内大规模生产96层堆叠的BiCS4芯片,并会在年底前发货。

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