2021-10-5 11:31
【天极网DIY硬件频道】科技行业在2021年处于缺芯的状态下,但NAND闪存和DRAM内存情况比较不错,主要原因在于国产3D NAND闪存和DRAM内存已经达到国际先进水平,长江存储和长鑫存储的供应为市场带来更多的稳定性。
长江存储是国内唯一大规模量产3D NAND闪存的公司,2019年初实现32层3D NAND量产,并加入长江存储首创的Xtacking技术;随后顺利研发出64层3D NAND,并于2019年9月量产256Gb(32GB)TLC 3D NAND。
长江存储在2020年4月宣布推出128层堆栈的3D闪存,并表示128层QLC 3D闪存(X2-6070)是业内首款128层QLC规格3D NAND,拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。同步登场的还有128层TLC闪存(X2-9060),单颗容量512Gb(64GB)。
日前,权威机构Tech Insights对长江存储的128层512Gb TLC闪存进行芯片级的拆解,证实其存储密度达到8.48GB/mm2,超过三星的6.91GB/mm2、美光的7.76GB/mm2、SK海力士的8.13GB/mm2,这个密度也已经达到世界先进水平。
性能方面,长江存储透露,两款产品拥有1.6Gbps的I/O读写性能,3D QLC单颗容量高达1.33Tb,是上代64层的5.33倍。
前不久,长江存储首席运营官程卫华透露,长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗,128层QLC也已经准备量产,TLC良率做到相当水准。
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