2013-11-13 09:19
【天极网数码频道】佳能新全像素双核CMOS AF传感器技术专利现已公布,日本公开专利号No.2013-228692。新专利在单位像素内设置了2个灵敏度各异的独立光电二极管,其目的在于提高传感器动态范围,进而提升高、低感光度画质表现。
No.2013-228692号专利详情:
公开日期:2013年11月7日
申请日期:2012年3月29日
发明人:池本 圣雄
要实现传感器相位差对焦功能,常见做法是在CMOS内设置独立检测像素,成像时再进行屏蔽,缺点在于会劣化低感光度画质表现。为此,佳能研制了全像素双核CMOS AF传感器技术(Dual Pixel CMOS AF),并率先应用于EOS 70D。其技术原理是在1个像素内放入2个光电二极管,对焦时相当于2个像素模拟相位差对焦,成像时再合并为1个像素输出成像信号。
佳能全像素双核CMOS AF传感器显微结构
通过该技术可让相机在不损伤画质前提下实现高速、高精度传感器相位差对焦功能。从媒体、普通用户的反映来看,70D实时取景模式下的对焦性能已具备很高实用性,尤其是在与STM马达镜头搭配时,跟踪对焦表现更是快、准、静,受到不少视频用户的欢迎。
根据现已公布的资料,佳能新专利在1个像素内设置了2个灵敏度各异的独立光电二极管(上图209、210、211、212),既实现相位差对焦,又可根据实际拍摄条件自动适配。
例如,在弱光、高反差环境下,高敏感度二极管起主要作用,低敏感度二极管可提供丰富的亮部细节,画面纯净度高;在光线充足环境下,低敏感度二极管起主要作用,高敏感度二极管则可用于记录暗部细节。
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