2026 年二季度 DRAM 市场格局：三星重回榜首，长鑫存储增速领跑全球

  【天极网手机频道】8 月 4 日，市场研究机构 Counterpoint Research 发布《2026 年第二季度全球存储追踪报告》，受智能体 AI、AI 服务器算力需求持续爆发拉动，全球 DRAM 行业供需格局迎来大幅洗牌，头部厂商座次、国产存储企业增长均出现标志性变化。

  数据显示，三星电子以39%的营收份额登顶 2026 年二季度全球 DRAM 市场，份额水平重回 2024 年区间，彻底扭转 2025 年同期被 SK 海力士反超的局面。依托传统 DRAM 稳定供货能力与定价优势，三星拉开与竞争对手的差距，HBM 高端存储业务同步放量，成为业绩反弹核心驱动力，机构预判其三季度将持续受益存储涨价红利。

  反观去年同期榜首 SK 海力士，尽管季度营收同比大涨 214%，但市场份额从 2025 年二季度 39% 大幅下滑至26%。受 HBM 产品价格下行、长期供货协议约束影响，其市场空间被三星、美光持续挤压。美光以 25% 的份额紧追 SK 海力士，二者仅相差 1 个百分点，随时存在位次反转可能;自 2023 年下半年 AI 算力浪潮开启后，美光存储业务长期保持稳健增长态势。

  这一变化表明，AI浪潮不仅带动HBM，也极大拉动了AI服务器CPU的传统DRAM需求，未来传统DRAM的价格和产能策略仍将是竞争焦点。其次，HBM市场正经历产品代际切换的调整期，均价同比下降，主要受HBM3E降价和HBM4延迟出货影响，对HBM业务占比高的SK海力士冲击尤为明显。

  本土存储厂商长鑫存储本季度表现亮眼，营收同比暴涨716%，以 7% 的市场份额稳居全球第四，是二季度增速最高的 DRAM 供应商。增长核心源于国内终端、服务器传统 DRAM 刚需扩容，叠加自身产线持续扩产;机构预测伴随 IPO 落地、产能持续释放，长鑫存储后续将持续冲击全球存储第一梯队。

  就目前来看，市场从过去的“双雄争霸”演变为三星、SK海力士、美光三强激烈缠斗，美光营收增长强劲，已接近赶超SK海力士。同时，长鑫存储以716%的同比增速成为最大变量，其产能扩张和HBM布局将可能彻底改变未来格局，而竞争维度也将扩展至产能配置、长期协议价格及地缘市场等多重因素。

  此外南亚科技同样收获高增，营收同比提升 690%，主要受益 DDR、LPDDR4/5 移动存储产品供需关系持续改善，台系存储厂商整体份额同步上行。

  行业逻辑层面，通用服务器消化传统 DRAM、AI 大模型算力设备消耗高端 HBM，两条需求曲线同步上行，将在中长期支撑存储行业景气度。Counterpoint 分析师表示，AI 算力扩张带来的存储增量需求，已成为改写 DRAM 厂商市场份额、决定行业盈利周期的核心变量。

  放眼后市，AI 算力催生的双线存储需求仍将持续释放，全球 DRAM 市场份额博弈、国产存储追赶进程或将进一步提速，厂商对传统内存与高端 HBM 双线布局的把控能力，或将成为下一阶段拉开行业差距的关键。