三大DRAM原厂在美遭集体诉讼 国产存储或将迎突围窗口期

  【天极网DIY硬件频道】在全球AI浪潮席卷之际，2026年6月25日，一场针对全球三大DRAM巨头的反垄断集体诉讼在美国加州北区联邦地方法院打响。14名美国个人消费者及3家小型企业联手，将矛头直指三星电子、SK海力士和美光科技，指控这三家合计占据全球DRAM市场逾90%份额的巨头涉嫌操纵内存价格并限制全球供应。

  产能转向的幌子？涨价700%背后的供需博弈

  根据诉状，自2022年以来，这三家公司借着向高带宽存储器(HBM)转移产能的由头，同步削减传统DRAM(如DDR3、DDR4)的产能。在随后的四年间，DRAM价格累计飙升约700%。近期苹果iPad和Mac因存储成本上涨而提价，更是被原告作为“内存短缺危机”传导至消费端的直接证据。

  从法律依据来看，原告援引了《谢尔曼法》第一条。该条款是美国反垄断法的基石，明确禁止任何限制州际或国际贸易的“垄断合谋”与协议。原告指出，在一个充分竞争的大宗商品市场中，当价格大幅上涨时，理应有厂商扩产以抢占份额。然而，这三家公司却“步调一致”地收缩供应，没有任何一家利用对手减产的机会争夺客户。这种违背自由市场规律的“默契”，正是原告指控其协同操纵的核心。

  从行业数据来看，AI数据中心的爆发确实在吞噬存储产能。据IDC分析，由于HBM的高昂利润和极大的晶圆消耗量，主要内存制造商已将有限的无尘室空间和资本支出转向企业级组件。这种“保利润、弃份额”的战略转移，导致2026年消费级DRAM短缺甚至蔓延至DDR2等老旧产品，TrendForce预计DDR2合约价在2026年第三季度将继续上涨35–40%。

  历史的重演与消费端的痛楚

  这并非三大原厂首次面临此类指控。诉状特别提及了2005年的历史判例：美国司法部曾对1998年至2002年间的DRAM价格操纵案展开调查，当时三星和SK海力士(原现代电子)分别认罪并缴纳了近3亿美元和1.85亿美元的巨额罚款，而美光因配合调查免于处罚。原告以此暗示，当前的“默契减产”不过是历史的第三次重演。

  此次诉讼的原告阵容——个人消费者加上小微终端零售商——深刻地说明了一个现实：在这场由AI引发的存储涨价狂潮中，最终承压方依然是处于消费终端的普通用户和中小企业。相比于财大气粗、能签订长期保供协议的科技巨头，他们的价格敏感度极高，抗风险能力也远不及中间链条的大型企业。

  危机中的转机：国产存储的突围窗口期

  即便这场诉讼的最终结局是达成和解或原厂败诉，存储巨头们的产能转向与调价节奏依然将十分缓慢。HBM带来的超高利润诱惑，以及新建DRAM晶圆厂动辄150亿至200亿美元、耗时数年的高昂门槛，决定了短期内传统DRAM的供需失衡难以逆转。这将使未来存储市场的不确定性进一步提升，消费电子的“涨价潮”恐将延续。

  但在危机之中，我们也看到了国产存储企业的破局机遇。当国际巨头将目光锁定在AI高端战场，不可避免地在成熟制程和传统消费级DRAM市场留下了巨大的供给真空。趁此国际巨头无暇他顾的真空期，国内存储企业若能加速扩产、稳固良率，不仅能有效平抑国内消费电子市场的成本焦虑，更将进一步实现存储市场的自主化替代，在全球存储版图中拿下更多的话语权。