英特尔计划2018年推NVDIMM内存：让DRAM数据不丢失

  【天极网DIY硬件频道】英特尔和美光联合开发的3D XPoint闪存，号称性能达到了内存的标准，容量密度是内存的10倍，耐用性是NAND闪存的1000倍，具备了NAND闪存、DRAM内存优势的革命性存储芯片。目前的3D Xpoint闪存除了作为内存的加速盘和常规的固态硬盘之外，还将可能被应用于标准内存。

  英特尔至强处理器/数据中心市场部经理Lisa Spellman日前在日本出席了一场公开活动，介绍了英特尔在服务器、数据中心市场上的新进展，PC Watach网站做了详细报道，除了新一代Xeon处理器之外，英特尔还透露了基于3D XPoint闪存的NVDIMM内存进展。

  有消息称英特尔计划在2018年内推出NVDIMM标准的3D XPoint内存，作为电脑的内存使用，不仅容量更大，而且继承了闪存在断电情况下依然保留数据的特点。根据英特尔所说，基于3D XPoint闪存的NVDIMM内存预计今年中开始发货，将用于下一代代号Cascade Lake的Xeon Scale处理器平台上。

  所谓的DRAM内存就是随机动态存储器，拥有高速读取和写入速度，不过断电后所存储的数据会消失。而NAND闪存叫非易失性存储器，在读写速度方面比不上DRAM内存，但是NAND闪存容量大、价格低，所以被作为数据存储工具。JEDEC标准化组织之前推出了NVDIMM内存标准，也就是一种断电不损失数据、使用内存封装格式的产品，介于DRAM与NAND之间。

  不过原文并没有提及英特尔的NVDIMM内存的具体规格，首图是NVDIMM实物的样子，容量、性能依然未知。

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