realme GT2大师探索版(12GB/256GB/全网通/5G版)解读

真我GT2大师探索版采用了全新的COP封装技术，得以让底部的边框收窄，同时realme使用了一个只有0.45mm开孔的隐藏式听筒设计，这样顶部的边框也可以收的更窄。另外这台手机上，realme去掉了屏幕和边框之间的塑料支架，让金属与玻璃直接结合，兼顾直屏的显示与曲屏的透通。

真我GT2大师探索版搭载了一套双VC的散热系统，整体的散热面积达到了37904mm2，对比上一代真我GT大师探索版的12387mm2提升了206%。同时在这台手机中，realme使用了一些全新的散热材料，包括金刚石凝胶、不锈钢VC等。拥有多达11层的散热结构，从上到下依次包括了屏下石墨片+大面铜箔+屏仓超导石墨烯+4129㎡ VC+金刚石凝胶+主板top铜箔+导热硅胶垫+导热硅胶垫+主板bot铜箔+690㎡ VC+3D超导石墨烯。

真我GT2大师探索版配备了一个三镜头模组，包括5000万像素索尼IMX 766双主摄以及一颗用于拍显微镜照片的微距镜头。尽管IMX 766是老面孔了，但是realme在这台手机上创造了不少的有趣的拍照模式。

真我GT2大师探索版搭载采用台积电4nm打造的骁龙8+Gen1芯片，其Cortex-X2超大核频率提高0.2Ghz。与此同时，真我GT2大师探索版还搭载最新的LPDDR5x运行内存，进一步提升内存带宽，释放CPU、GPU的性能潜力。此外，手机还手搭在新一代X7显示芯片，可通过算法将内容由低解析度扩展到高解析度，还能通过优化后的插帧技术大幅降低功耗，让游戏玩家享受到媲美原生高帧率体验。 

真我GT2大师探索版在5000mAh电池的加持下，可以在日常使用中达到11个小时左右的时间，这个成绩要比上一代的GT大师探索版长了接近1个小时左右。配备了最新的100W快充技术，实际的充电时间可以在25-27分钟左右的时间内，将手机电池从1%充满至100%。这个成绩相比于上一代GT大师探索版要快了很多。

我GT2大师探索版正面搭载6.7英寸BOE类钻排OLED直屏，拥有120Hz刷新率、2412*1080的分辨率。得益于COP封装工艺和新屏幕的加持，手机两侧1.48mm、顶部1.84mm以及底部2.37mm的超窄边框，让手机屏占比达到94.2%，视觉观感更舒适。值得一提的是，realme去除掉了传统手机屏幕和边框之间的塑料支架，让金属边框与前后玻璃面板直接结合，也是手机拥有超窄边框的原因。